Projetado especificamente para aplicações automotivas, este “Stripe Planar” tem o design dos MOSFET’s - HEXFET® Power e utiliza técnicas de processamento mais recente para obter resistência extremamente baixa por área de silício.
Recursos adicionais deste MOSFET de potência HEXFET são uma junção de 175°C, temperatura de operação, velocidade de comutação rápida e desempenho repetitivo aprimorado com classificação de avalanche. Esses benefícios se combinam para tornar este dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicações automotivas e uma ampla variedade de outras aplicações.

IRF1407 PBF (Original International Rectifier)
VDSS = 75V > RDS (on) = 0,0078 Ohms > ID = 130A
APLICAÇÕES TÍPICAS:
- Alternador de partida integrado.
- Sistemas elétricos automotivos de 42 volts.
- Sem chumbo.
BENEFÍCIOS:
- Tecnologia de Processo Avançada.
- Resistência de "On" Ultra Baixa (0,0078 Ohms).
- Classificação dinâmica dv/dt.
- 175°C de temperatura operacional.
- Avalanche repetitiva permitida até Tjmax.