Projetado especificamente para aplicações automotivas, este “Stripe Planar” tem o design dos MOSFET’s - HEXFET® Power e utiliza técnicas de processamento mais recente para obter resistência extremamente baixa por área de silício.
Recursos adicionais deste MOSFET de potência HEXFET são uma junção de 175°C, temperatura de operação, velocidade de comutação rápida e desempenho repetitivo aprimorado com classificação de avalanche. Esses benefícios se combinam para tornar este dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicações automotivas e uma ampla variedade de outras aplicações.