HEXFETs de quinta geração da International Rectifier - IR, que utilizam técnicas avançadas de processamento para obter resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e formato de um dispositivo robusto (TO-220AB), fazem que o HEXFET Power MOSFET seja bem conhecido, fornecendo ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

DETALHES:
Mosfet HEXFET 150V 43A 42mOhm 133,3nC
O formato TO-220AB é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais e industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do TO-220AB contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.
- Excelente qualificação dinâmica dv/dt.
- Excelente avalanche repetitiva.
- Comutação rápida.
- Fácil de ligar em paralelo.
- Formato simples.
Parameter Max. Units
- ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 43A
- ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 30 A
- IDM Pulsed Drain Current 150A
- PD @TC = 25°C Power Dissipation 200 W
- Linear Derating Factor 1.3 W/°C
- VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V
- EAS Single Pulse Avalanche Energy‚ 590 mJ
- IAR Avalanche Current 22 A
- EAR Repetitive Avalanche Energy 20 mJ
- dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ƒ 5.0 V/ns
- TJ Operating Junction and -55 to + 175
- TSTG Storage Temperature Range
- Soldering Temperature, for 10 seconds: 300ºC (1.6mm from case)
- Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)
- Absolute Maximum Ratings
Parameter Typ. Max. Units
- RqJC Junction-to-Case –– 0.75 °C/W
- RqCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface –– 0.50 °C/W
- RqJA Junction-to-Ambient 62 °C/W
- VDSS = 150V
- RDS (on) = 0.042W
- ID = 43A