DETALHES:

IRFP90N20D Transistor de Potência
Mosfet Hexfet 200 Volts 94 Amperes 23mOhm 180nCAC

• Polaridade: Canal N
• Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200V
• Id - Corrente de drenagem contínua: 94A
• Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 23 mOhms
• Vgs - Voltagem de porta e fonte: -30V, +30V
• Tensão de limite porta e fonte: 1,8V
• Qg - Carga na porta: 180 nC
• Temperatura operacional mínima: -55ºC
• Temperatura operacional máxima: +175ºC
• Pd - Dissipação de potência: 580W
• Altura: 20,7 mm
• Comprimento: 15,87 mm
• Largura: 5,31 mm
• Marca: IR – International Rectifier / Infineon Technologies
• Transcondutância em avanço - Mín: 39 S
• Tempo de queda: 79ns
• Tipo de Produto: MOSFET HEXFET
• Tempo de ascensão: 160ns
• Tempo de retardo de desligamento típico: 43 ns
• Tempo típico de ativação / retardo: 23 ns