Os MOSFETs de potência avançados HEXFET® da International Rectifier (IR) utilizam técnicas avançadas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e a robustez do projeto do dispositivo são bem conhecidas, fornecendo ao projetista uma ferramenta extremamente eficiente num dispositivo confiável para uma enorme variedade de aplicações.
DETALHES:
Mosfet HEXFET 75V 82A 13mOhm 106,7nC
- Tecnologia de fabricação muito avançada.
- Resistência ultra baixa quando ligado.
- Excelente dinâmica dv/dt.
- Temperatura operacional até 175°C.
- Chaveamento em altíssima frequência.
- Boa resposta a avalanches (Fully Avalanche Rated).
- Livre de chumbo (Lead-Free).