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IRF5210 TRANSISTOR MOSFET HEXFET - CANAL P - TO-220AB -100V -40A -
Código do Produto: IRF5210
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Descrição
IRF5210 PBF – CANAL P. Os MOSFETs de potência avançados HEXFET® da International Rectifier (IR) utilizam técnicas avançadas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e a robustez do projeto do dispositivo são bem conhecidas, fornecendo ao projetista uma ferramenta extremamente eficiente num dispositivo confiável para uma enorme variedade de aplicações.
Sobre a Marca
Características
BENEFÍCIOS:
- Tecnologia de fabricação muito avançada.
- Resistência ultra baixa quando ligado.
- Excelente dinâmica dv/dt.
- Temperatura operacional até 175°C.
- Chaveamento em altíssimas frequências.
- Boa resposta a avalanches (Fully Avalanche Rated).
DETALHES TÉCNICOS:
- Polaridade do transistor: Canal P
- Vds - Tensão de ruptura entre dreno e fonte: -100 V
- Id - Corrente de drenagem contínua: -40 A
- Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 60 mOhms
- Tensão de limite porta e fonte: 2 V
- Qg - Carga na porta: 120 nC
- Temperatura operacional mínima e máxima: -55ºC até +150ºC
- Pd - Máxima dissipação de potência: 200 W
- Marca: Infineon / International Rectifier
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