Os HEXFETs de quinta geração da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançado obtendo resistências extremamente baixas por área de silício. Este benefício, combinado com a alta velocidade de comutação e design TO-247AC oferecem um dispositivo robusto e bem conhecido, eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

DETALHES
IRFP250N Transistor de Potência
Mosfet Hexfet 200V - 21A@100ºC / 30A@25ºC - 75mOhms
CARACTERÍSTICAS
- Tecnologia de Processo Avançada.
- Excelente dinâmica dv/dt.
- Temperatura operacional de até 175°C.
- Chaveamento ultrarrápido.
- Alto nível de avalanche.
- Facilidade de paralelismo.