Este MOSFET’s - HEXFET® de altíssima potência utiliza técnicas de processamento mais recente para obter resistência extremamente baixa por área de silício.
Recursos adicionais deste MOSFET de potência HEXFET são a temperatura de operação, velocidade de comutação rápida e desempenho repetitivo aprimorado com classificação de avalanche. Esses benefícios se combinam para tornar este dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso numa ampla variedade de aplicações.
IRFB3207 (Original International Rectifier)
VDSS = 75V > RDS (on) = 0,0036 Ohms (3,6 mOhms) > ID = 180A
APLICAÇÕES TÍPICAS:
- Circuito de potência em UPS - NOBREAK.
- Controladores chaveados de alta velocidade.
- Circuitos chaveados de alta potência e alta frequência.
BENEFÍCIOS:
- Tecnologia de Processo Avançada.
- Alta eficiência na retificação em SMPS.
- Melhor RDS (on) do mundo para um MOSFET TO-220.
- Resistência de "On" Ultra Baixa (0,0036 Ohms).
- Avalanche e dinâmico dv/dt melhorados.
- Capacidade de diodo aprimorada (dv/dt e dl/dt).