UMA COMPRA = TRÊS (3) PEÇAS 

DETALHES:

• Transistor IRF640N Mosfet 200V 18A 150mOhm 44,7nC

ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS:

• Polaridade do transistor: Canal N - 1 Canal
• Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200V
• Id - Corrente de drenagem contínua: 18A
• Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150mOhms
• Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20V / + 20V
• Tensão de limite porta e fonte: 2V
• Qg - Carga na porta: 44,7nC
• Temperatura operacional mínima: -55ºC, máxima: +175ºC
• Pd - Dissipação de potência máxima: 150W
• Marca: IR - International Rectifier
• Transcondutância em avanço - Mín: 6,8 seg
• Tempo de queda: 5,5ns
• Tipo de Produto: MOSFET HEXFET
• Tempo de ascensão: 19ns
• Tempo de retardo de desligamento típico: 23ns
• Tempo típico de retardo na ativação: 10ns