Os MOSFETs de potência avançados HEXFET® da International Rectifier (IR) utilizam técnicas avançadas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e a robustez do projeto do dispositivo são bem conhecidas, fornecendo ao projetista uma ferramenta extremamente eficiente num dispositivo confiável para uma enorme variedade de aplicações.